卢柯团队的研究方向包括金属电化学愈合、百货摩擦磨损、梯度纳米结构材料和纳米层片结构材料。

近日，全部西安交通大学李飞教授，全部哈尔滨工业大学常云飞副教授和澳大利亚伍伦贡大学张树君教授（共同通讯作者）提出一种通过控制晶粒取向来增加击穿电场，从而提高多晶陶瓷的储能密度。【引言】 近年来，玩意电力存储技术在先进的电子和电力系统中起着至关重要的作用，玩意许多先进的电子设备要求同时具有高能量和功率密度的能量存储，例如大功率微波，电磁设备和混合电动汽车。

（c，百货d）织构为111的NBT-SBT多层陶瓷及其非织构陶瓷的X射线衍射图。（d，全部e）可恢复的能量密度和效率与电场的函数。首先是微米级大纵横比的板状模板的选择和制造，玩意研究人员合成了Ba6Ti17O40，其具有层状结构，同时其层平行于氧八面体的表面。

在材料厚度方面，百货介质的击穿强度随陶瓷厚度的减小呈指数增长。图四、全部111织构和非织构NBT-SBT多层陶瓷的电场诱导应变，击穿强度和储能性能的综合比较（a）两种陶瓷在10 Hz测量的单极P-E曲线。

所提出的策略也可以应用于广泛的功能陶瓷，玩意其中需要高击穿电场来扩大熵的变化，用MLCCs进行电热固态冷却。

（c）100，百货110和111取向的钙钛矿样品的冯米塞斯应力的局部分布。所提出的策略也可以应用于广泛的功能陶瓷，全部其中需要高击穿电场来扩大熵的变化，用MLCCs进行电热固态冷却。

（c）100，玩意110和111取向的钙钛矿样品的冯米塞斯应力的局部分布。百货（d）在150°C下的放电能量密度和效率。

介电陶瓷被认为是这些储能应用中最有前途的材料之一，全部因为与电化学电池相比，它们的快速充电和放电能力以及与介电聚合物相比的高温稳定性。（e，玩意f）使用SEM-EBSD技术测量了111织构NBT-SBT多层陶瓷及其非织构陶瓷的晶粒取向。